國際商標註冊
三星大陸廠將生產較低端芯
片，多數供應中國手機市場，而韓廠將專註於生產高端芯片。三星預估投產時間落為2019年，與大陸內存廠產出的時間相近，是否會引發市場供需陷入供過於求？
內存市場高燒不退，其中Flash缺貨情況比DRAM更為緊俏，業界預期，Flash榮景可能延續到年底，甚至是明年，而目前看來，DRAM可能到第3季就會開始顯現部分疲態。三星電子嗅覺靈敏，他們周一（5月29日）即表示，正在考慮擴大其中國制造基地的存儲器芯片產能。
三星發言人稱，正在考慮擴大西安工廠的產能，但具體細節還未確定，包括可能的投資規模以及新增產能將用於生產哪些產品。內存業界指出，各傢原廠3D NAND Flash逐步開出，但預期今年內供需失衡的情況仍難以完全改善，所以整體市況仍偏向樂觀。
消息人士稱，三星與當地政府正進行協商最後階段。 很可能在9月動工。 三星西安廠現有第一產線是在2014年興建，月產12萬片NAND內存晶圓，若加上規劃註冊商標使用之注意事項中的第二產線，產量將達20萬片。
三星此前已在西安工廠投資70億美元生產3D NAND存儲器芯片，現在計劃讓位於韓國京畿道平澤市的全新NAND芯片廠自6月啟動營運，月產能可達20萬片。 20170531-nand-flash 消息人士還稱，三星大陸廠將生產較低端芯片，多數供應中國手機市場，而韓廠將專註於生產高端芯片。
由於用戶對消費電子產品處理能力的需求不斷增長，以及隨著技術越來越復雜，投資的生產收益下降，預計三星等存儲器芯片公司將在2017年錄得創紀錄的營收和利潤。市場研究公司IHS預計，今年的存儲器行業收入將躍升32%至創紀錄的1，040億美元。
業界高管和分析師表示，3D NAND供應商2017年全年可能難以滿足客戶的訂單。三星提高資本支出增產3D NAND Flash，預估投產時間落為2019年，與大陸內存廠產出的時間相近，是否會引發市場供需陷入供過於求，目前還難斷定。
群聯電子董事長潘健成表示，3D NAND工藝難度高，且需求相當強勁，主要制造大廠均表示未來三年的產能仍無法供應，因此預料三星增產3D NAND芯片，應是看好在3D NAND芯片取得較佳機會。
潘健成認為，至少二年內，NAND芯片會一直缺貨，而且今年第3季將是史上最缺貨的一季。
此外，三星資本支出集中增產3D NAND Flash，目前雖未有增產DRAM計劃，但對DRAM廠而言，仍將處於供需平衡階段。 業界評估，DRAM價格漲勢已逐漸到達臨界點，渠道商也已建立一定的庫存，因此或許後續第3季的價格就會開始盤整。
南亞科則估計，今年DRAM也是處於缺貨的一年，下半年以第3季缺貨程度最高，缺口估有1%~2%，預料進入傳統商標申請類別備貨旺季，DRAM價格會再看漲。
原文鏈接：http://www.eeboard.com/news/3d-nand-7
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